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簡要描述：【無錫冠亞】是一家專注提供高低溫控溫解決方案的設(shè)備廠家，公司主要生產(chǎn)高低溫沖擊氣流儀（熱流儀）、chiller、超低溫制冷機(jī)、高低溫測試機(jī)機(jī)、高低溫沖擊箱等各種為通訊、光模塊、集成電路芯片等領(lǐng)域的可靠性測試提供整套溫度環(huán)境解決方案。高低溫氣流溫度沖擊系統(tǒng)適配封裝熱沖擊模擬
產(chǎn)品型號：FLTZ-015W廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2025-03-25訪 問 量：450| 品牌 | 冠亞恒溫 | 冷卻方式 | 水冷式 |
|---|---|---|---|
| 價(jià)格區(qū)間 | 10萬-50萬 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
| 儀器種類 | 一體式 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,電子/電池,航空航天,汽車及零部件,電氣 |
高低溫氣流溫度沖擊系統(tǒng)適配封裝熱沖擊模擬
高低溫氣流溫度沖擊系統(tǒng)適配封裝熱沖擊模擬
thermal 熱流儀在芯片可靠性測試中有著一定的應(yīng)用，能在多種測試場景發(fā)揮作用，同時(shí)具備多項(xiàng)優(yōu)勢，以下是具體介紹：
一、芯片可靠性測試的核心挑戰(zhàn)
隨著芯片制程進(jìn)入3nm以下及封裝（如3D IC、Chiplet）技術(shù)的普及，芯片可靠性測試面臨更高要求：
嚴(yán)苛溫度耐受性：芯片需在-55℃~150℃范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，且需承受快速溫變帶來的熱應(yīng)力。
局部熱點(diǎn)風(fēng)險(xiǎn)：高密度封裝下，功率芯片（如CPU、GPU）的局部溫度易引發(fā)電遷移或熱失效。
測試效率與成本：傳統(tǒng)溫箱測試周期長，難以滿足快速迭代需求。
二、Thermal熱流儀在芯片測試中的核心應(yīng)用
1. 溫度循環(huán)測試（Temperature Cycling）
測試目標(biāo)：驗(yàn)證芯片在嚴(yán)苛溫度交替下的機(jī)械穩(wěn)定性（如焊點(diǎn)疲勞、分層缺陷）。
技術(shù)方案：熱流儀以50℃/min速率循環(huán)切換-55℃~125℃，模擬芯片在汽車電子或工業(yè)環(huán)境下的壽命。
2. 高溫老化測試（Burn-in）
測試目標(biāo)：篩選早期失效芯片，提升量產(chǎn)良率。
技術(shù)方案：熱流儀在125℃下對芯片施加額定電壓，，加速電遷移與氧化失效。
3. 熱阻測試（Thermal Resistance, Rth）
測試目標(biāo)：量化芯片結(jié)溫（Tj）與環(huán)境溫度（Ta）的熱傳導(dǎo)效率。
技術(shù)方案：熱流儀結(jié)合紅外熱像儀與熱電偶，實(shí)時(shí)監(jiān)測結(jié)溫并計(jì)算。
4. 熱沖擊測試（Thermal Shock）
測試目標(biāo)：驗(yàn)證芯片在溫變下的抗裂性（如陶瓷封裝、硅通孔TSV結(jié)構(gòu)）。
技術(shù)方案：熱流儀加熱實(shí)現(xiàn)-75℃→150℃切換，模擬芯片在航天器進(jìn)出大氣層的嚴(yán)苛環(huán)境。
三、Thermal熱流儀的五大技術(shù)優(yōu)勢
1. 有效性：縮短測試周期
快速溫變：50℃/min速率使溫度循環(huán)測試時(shí)間壓縮。
多通道并行：支持8~16個(gè)芯片同步測試（如Fan-Out封裝），效率提升。
2. 準(zhǔn)確性：數(shù)據(jù)可靠性保障
控溫精度：±0.1℃精度（PID+模糊算法）避免溫度波動(dòng)導(dǎo)致的誤判。
微區(qū)監(jiān)測：紅外熱像儀準(zhǔn)確定位熱點(diǎn)，誤差≤1℃。
3. 多功能性：復(fù)雜場景覆蓋
復(fù)合環(huán)境模擬：集成振動(dòng)臺(tái)、濕度控制，滿足標(biāo)準(zhǔn)中的多應(yīng)力耦合測試。
定制化編程：支持階梯升溫、駐留時(shí)間動(dòng)態(tài)調(diào)整等復(fù)雜測試腳本。
Thermal熱流儀通過有效溫控、準(zhǔn)確數(shù)據(jù)，成為芯片可靠性測試的核心工具，其優(yōu)勢不僅體現(xiàn)在縮短研發(fā)周期與提升良率上，更在于推動(dòng)芯片技術(shù)向更高密度、更復(fù)雜場景的突破。
